碳化硅陶瓷的制備工藝

碳化硅陶瓷是一種以碳化硅（SiC）為主要成分的無機非金屬材料，具有高硬度、高強度、耐高溫、耐腐蝕、耐磨、低熱膨脹系數(shù) 高導(dǎo)熱性等優(yōu)異性能。
碳化硅陶瓷的制備工藝直接影響其性能和應(yīng)用，常見方法包括：
反應(yīng)燒結(jié)：碳源與碳化硅粉混合，經(jīng)滲硅反應(yīng)生成β-SiC，適合大尺寸復(fù)雜形狀結(jié)構(gòu)件。
無壓燒結(jié)：添加燒結(jié)助劑（如B?C、Y?O?），在2000-2150℃下致密化，分為固相燒結(jié)和液相燒結(jié)。
熱壓燒結(jié)：加熱同時施加軸向壓力，降低燒結(jié)溫度，縮短時間，得到晶粒細(xì)小、密度高的產(chǎn)品。
放電等離子燒結(jié)（SPS）：快速升溫并施加脈沖電流，短時間內(nèi)完成燒結(jié)，制備納米碳化硅材料。